osi-optoelectronics

二、InGaAs光电二极管

 

1、高速InGaAs光电二极管

 

产品介绍：

 

FCI-InGaAs-XXX系列有源区域尺寸为75µm、120µm、300µm、400µm和500µm，具有数据通信和电信应用的特性和需求。从1100nm到1620nm的低电容、低暗电流和高响应度使这些器件成为LAN、MAN、WAN和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管封

 

装在3个引线隔离的TO-46罐中，或带有AR涂层的平面窗口或微透镜，以提高耦合效率。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA插座。

 

2、大有源面积光电二极管

 

产品介绍：

 

FCI-InGaAs-XXX-X系列有源区域尺寸为1mm、1.5mm和3mm，是OSIOptoelectronics的大有源区域红外敏感探测器的一部分，在1100nm至1620nm范围内表现出出色的响应能力，对微弱信号具有高灵敏度。这些大有源面积器件非常适合用于红外仪器和监控应用。光电二极管芯

 

片采用TO-46或TO-5封装，带有宽带双面AR涂层平面窗口。FCI-InGaAs-1500-X和FCI-InGaAs-3000-X具有5、10、20、30和40MΩ的不同分流电阻值。

 

3、分段InGaAs光电二极管

 

产品介绍：

 

FCI-InGaAs-QXXX系列是大有源区InGaAs光电二极管，分为四个独立的有源区。这些光电二极管有1mm和3mm有源区直径。InGaAsQuad系列具有高响应均匀性和元件之间的低串扰，是精确调零或定心应用以及光束分析应用的理想选择。它们在1100nm到1620nm范围内表现出出

 

色的响应能力，并且随着时间和温度的变化保持稳定，以及高速或脉冲操作所需的快速响应时间。光电二极管封装在隔离的TO-5或TO-8罐中，带有宽带双面AR涂层平面窗口，也可以根据要求安装在陶瓷基板上。

 

4、光电二极管列阵

 

产品介绍：

 

具有4、8、12和16通道的FCI-InGaAs-XXM系列是OSIOptoelectronics高速红外敏感光电探测器阵列的一部分。每个AR涂层元件都能够以2.5Gbps的数据速率展示从1100nm到1620nm的高响应度。

FCI-InGaAs-XXM是环绕式陶瓷底座的标准配置，专为基于标准250nm间距光纤带的多通道光纤应用而设计。此外，500毫米的板级触点可轻松连接到您的电路。根据要求，可提供55µm有源区域2通道阵列。

 

5、光电二极管放大器混合器

 

产品介绍：

 

FCI-XXX-InGaAs-70系列是紧凑型集成高速InGaAs光电探测器，具有宽动态范围跨阻放大器。

 

（1）1.25Gbps/2.5Gbps光电二极管放大器混合

 

FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是紧凑型集成高速InGaAs光电探测器，具有宽动态范围跨阻放大器。将探测器与TIA结合在密封的4针TO-46封装中，为高速信号放大提供了理想条件。高速和卓越的灵敏度使这些设备成为LAN、MAN、WAN和其他高速通信系统中使用的高比特率

 

接收器的理想选择。

 

（2）622Mbps光电二极管放大器混合

 

FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成宽动态范围跨阻放大器的高速75µmInGaAs光电探测器。将探测器与TIA结合在密封的4针TO-46封装中，为高速信号检测和放大提供了理想条件。探测器的低电容、低暗电流和高响应度，以及集成TIA的低噪声特性，带来了出色的灵敏度。

 

6、背照式InGaAs光电二极管

 

产品介绍：

 

FCI-InGaAs-300B1XX系列是多功能背照式光电二极管/阵列。它们标配单元件二极管或4或8元件阵列，有效面积为300µm。这些背照式InGaAs光电二极管/阵列设计为倒装芯片安装（有源区域朝上）或面朝下组装，以最大限度地减少整体尺寸。这些低电感、低暗电流和低电

 

容背照式光电二极管/阵列带有或不带有陶瓷基板。

 

7、光电二极管陶瓷组件

 

（1）宽带抗反射涂层InGaAs光电二极管

 

OSIOptoelectronics的最新产品线包括一个反射率极低的光电二极管。

 

（2）陶瓷基板上的高速InGaAs光电二极管

 

FCI-InGaAs-XXX-WCER的有效面积尺寸为70µm、120µm、300µm、400µm、500µm，是安装在金属化陶瓷基板上的监控光电二极管系列的一部分。

 

（3）斜角陶瓷基板上的高速InGaAs光电二极管

 

FCI-InGaAs-XXX-ACER的有效面积尺寸为70µm、120µm、300µm、400µm、500µm，是OSIOptoelectronics安装在倾斜陶瓷基板上的高速红外敏感光电二极管的一部分。

 

（4）含铅陶瓷封装上的高速InGaAs光电二极管

 

FCI-InGaAs-XXX-LCER的有效面积尺寸为70µm、120µm、300µm、400µm、500µm，是安装在鸥翼陶瓷基板上的OSIOptoelectronics高速红外敏感光电二极管的一部分。

 

（5）腔体陶瓷封装上的高速InGaAs光电二极管

 

FCI-InGaAs-XXX-CCER的有效面积尺寸为70µm、120µm、300µm、400µm、500µm，是OSIOptoelectronics高速红外敏感光电二极管的一部分，该光电二极管安装在带玻璃窗的鸥翼陶瓷基板上。

 

8、10GbpsInGaAs光电二极管

 

产品介绍：

 

OSIOptoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一种支持OC-192(SONET/SDH)的光敏器件，具有低暗电流和良好的性能稳定性。阳极和阴极触点都出现在芯片的顶部，它是10Gbps高速光数据传输应用中的理想组件，响应从910nm到1650nm的光谱包络

 

9、光电二极管尾纤组件

 

产品介绍：

 

FCI-InGaAs-XX-XX-XX具有70µm和120µm的有效面积，是OSIOptoelectronics高速红外敏感探测器系列的一部分，采用光纤尾纤封装。单模/多模光纤光学对准TO-46透镜盖封装中的密封InGaAs二极管，提高耦合效率和稳定性，或直接对准安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管

 

。高响应性和低电容使这些设备非常适合用于LAN、MAN、WAN和其他高速通信和监控/仪器系统的超高比特率接收器。还提供角抛光连接器和定制包装。